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  • 硅基底石墨烯(1*1cm單層)

    硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    更新時(shí)間:2024-06-04
    產(chǎn)品價(jià)格:1977.3
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):880
  • 硅基底石墨烯(1*1'' 單層)

    硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    更新時(shí)間:2024-06-04
    產(chǎn)品價(jià)格:2636.4
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):1360
  • 二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層)

    二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    更新時(shí)間:2024-06-04
    產(chǎn)品價(jià)格:1977.3
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):825
  • 二氧化硅基底石墨烯(1*1'' 單層)

    二氧化硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    更新時(shí)間:2024-06-04
    產(chǎn)品價(jià)格:2636.4
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):1241
  • 銅基石墨烯薄膜(5* 5cm)

    形狀:可任意裁剪 尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數(shù):單層 晶粒:單晶/多晶,50~300um

    更新時(shí)間:2024-06-04
    產(chǎn)品價(jià)格:980
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):858
  • 銅基石墨烯薄膜(10 10cm)

    形狀:可任意裁剪 尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數(shù):單層 晶粒:單晶/多晶,50~300um

    更新時(shí)間:2024-06-04
    產(chǎn)品價(jià)格:3200
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問次數(shù):881
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